Поиск



Фото Наименование Подразделение Назначение Технические характеристики Проведение измерений, испытаний, исследований
Картинка 1
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления) ЦКП "Материаловедение и металлургия" Приборы и аппаратура для исследования и анализа поверхности прочие Предназначена для напыления металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений. Установка позволяет напылять электрооптические, многослойные градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя. Шлюзовая камера оснащена системой очистки и загрузочной кассетой с держателем на три образца диаметром 4''. Камера снабжена ионной пушкой для очистки подложки, предусмотрена подача высокочастотного потенциала на подложку.
Диаметр распыляемой мишени – 2'';
Максимальное давление остаточных газов – 10-6 Торр;
Максимальная температура подложки – 800 °C;
Максимальный диаметр подложки – 4'';
Максимальное количество газов – 3;
Одновременная работа магнетронов – да;
Вращение подложки – да;
Количество магнетронов – 4.
Заказать работу
В начало
Вход